Названия:
ПЕРСПЕКТИВЫ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ БАРЬЕРЫ СОЗДАНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА: ОТ СИНТЕЗА МАТЕРИАЛА ДО ПРОБЛЕМЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ
Автор:
Волков Андрей Дмитриевич
Расположение страниц:
77-81
Язык:
Русский
Аннотация:
В представленной статье проводится комплексное исследование процессов разработки и оптимизации транзисторных структур на основе графена — двумерной модификации углерода. Автор анализирует уникальные физико-химические свойства графена, такие как аномально высокая подвижность носителей заряда и высокая теплопроводность, которые делают его наиболее перспективным кандидатом на замену кремнию в электронике следующего поколения. В работе детально рассматриваются методы синтеза графеновых слоев, включая механическое отслоение, химическое осаждение из газовой фазы и термическое разложение карбида кремния. Основное внимание уделено фундаментальной проблеме отсутствия запрещенной зоны в зонной структуре графена и методам преодоления этого ограничения через квантовое ограничение и химическую модификацию.