Названия:
МОДЕЛИРОВАНИЕ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА INP - GAAS
Автор:
Бесполудин Владислав Валерьевич
Расположение страниц:
45-47
Язык:
Аннотация:
В данной работе показано моделирование солнечного элемента на основе гетероперехода InP – GaAs. Моделирования проводилась с использованием программы PC1D. В этой статье мы предлагаем использования сочетания двух материалов GaAs n – типа и InP p – типа, с шириной запрещенной зоны 1,42 эВ и 1,35 эВ соответственно. В данной модели солнечного элемента GaAs используется в качестве верхнего слоя, а слой InP в качестве нижнего слоя