Названия:
КВАНТОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ И ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ В СОВРЕМЕННОЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ: ФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ, ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ СХЕМЫ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРЕДЕЛЫ СКАЛИРОВАНИЯ
Автор:
Аганыязова Нурана, Абраева Мерджен
Расположение страниц:
268-273
Язык:
Русский
Аннотация:
В настоящем максимально развернутом, предельно детализированном, фундаментальном, исчерпывающем, монументальном и многократно расширенном научно-техническом и физико-математическом исследовании представлен принципиально новый, глубоко проработанный и всесторонне обоснованный ракурс рассмотрения теоретических, квантово-механических, материаловедческих и схемотехнических аспектов развития наноэлектроники в условиях исчерпания традиционных возможностей кремниевого масштабирования. Исследование базируется на глубоком и системном анализе классических законов физики твердого тела, новейших достижений в области создания квантовых точек, углеродных нанотрубок, двумерных гетероструктур, спинтроники, одноэлектронных транзисторов и молекулярных переключателей, а также комплекса технологических, термодинамических и квантово-химических факторов, определяющих транспорт носителей заряда в ультрамалых пространственных областях. В работе детально и с исчерпывающей полнотой исследуются физика туннельных процессов через ультратонкие диэлектрические барьеры, баллистический перенос электронов, квантовое ограничение в низкоразмерных системах, а также трехмерные архитектуры полевых транзисторов с затвором по всему периметру канала. Предложены комплексные расчетные, прогностические и материаловедческие модели преодоления тепловых и квантовых ограничений закона Мура, а также детально рассмотрены малоизученные аспекты снижения токов утечки, диссипации тепла и подавления флуктуационных шумов в наноразмерных чипах.